申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117749188A

主分类号：H03M1/46

分类号：H03M1/46;H03M1/10;H03M1/06;H03M1/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列，包括：两组高段P端拆分采样电容CPH1,1～CPH1,j、CPH2,1～CPH2,j、两组高段N端拆分采样电容CNH1,1～CNH1,j、CNH2,1～CNH2,j、低段P端比特位电容CPL,1～CPL,i、低段N端比特位电容CNL,1～CNL,i、P端符号位电容CSP1～CSP2、N端符号位电容CSN1～CSN2、N端桥接电容CNB1～CNB2、P端桥接电容CPB1～CPB2、N端连接开关SN1～SN4和P端连接开关SP1～SP4。本发明将高段采样电容阵列被拆分成相同的两端，两端的电容分别使用顶板和底板进行采样，抵消了电容的一阶电压系数；采样的过程基于VDD和GND进行，无需额外的VCM电压；独立的符号位电容通过开关切换参与到后续的量化过程，进一步减小了所需要的电容数量。

主权项：1.一种带电容电压系数消除和电容复用的SARADC电容阵列，其特征在于，包括：第一高段P端拆分采样电容CPH1,1～CPH1,j、第二高段P端拆分采样电容CPH2,1～CPH2,j、第一高段N端拆分采样电容CNH1,1～CNH1,j、第二高段N端拆分采样电容CNH2,1～CNH2,j、低段P端比特位电容CPL,1～CPL,i、低段N端比特位电容CNL,1～CNL,i、P端符号位电容CSP1～CSP2、N端符号位电容CSN1～CSN2、N端桥接电容CNB1～CNB2、P端桥接电容CPB1～CPB2、N端连接开关SN1～SN4和P端连接开关SP1～SP4；第一高段P端拆分采样电容CPH1,1～CPH1,j并联设置，构成P端第一电容阵列；第二高段P端拆分采样电容CPH2,1～CPH2,j并联设置，构成P端第二电容阵列；低段P端比特位电容CPL,1～CPL,i并联设置，构成P端第三电容阵列；其中，P端第一电容阵列、P端第二电容阵列、P端第三电容阵列和P端符号位电容CSP1～CSP2通过P端桥接电容CPB1～CPB2和P端连接开关SP1～SP4实现阵列间互联；第一高段N端拆分采样电容CNH1,1～CNH1,j并联设置，构成N端第一电容阵列；第二高段N端拆分采样电容CNH2,1～CNH2,j并联设置，构成N端第二电容阵列；低段N端比特位电容CNL,1～CNL,i并联设置，构成N端第三电容阵列；其中，N端第一电容阵列、N端第二电容阵列、N端第三电容阵列和N端符号位电容CSN1～CSN2通过N端桥接电容CNB1～CNB2和N端连接开关SN1～SN4实现阵列间互联。

全文数据：

权利要求：

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