申请/专利权人：拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737700A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/513

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请属于镀膜技术领域，涉及一种薄膜沉积设备，包括反应腔、第一进气组件、第二进气组件和气源组件，反应腔包括腔体和腔盖，当腔体和腔盖配合能够形成容纳空间，至少部分第一进气组件位于容纳空间内，且环绕腔体的内侧壁设置，第一进气组件开设有多个第一气孔；至少部分第二进气组件位于容纳空间内，第二进气组件开设有多个第二气孔；气源组件连接于第一进气组件和第二进气组件，气源组件通过多个第一气孔由腔体的内侧壁向容纳空间的中心方向释放第一气体，以及通过第二气孔由腔盖向腔体的底部方向释放第二气体。该薄膜沉积设备能够通过第一进气组件和第二进气组件的配合，同时满足ALD和CVD两种制模方式，从而减少生产成本和操作复杂性。

主权项：1.一种薄膜沉积设备，用于对加工对象进行处理，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括：反应腔，包括腔体和腔盖，所述腔盖被配置为能够相对所述腔体的开口移动，当所述腔体和所述腔盖配合能够形成容纳空间，所述容纳空间用于容纳所述加工对象；第一进气组件，至少部分所述第一进气组件位于所述容纳空间内，且环绕所述腔体的内侧壁设置，所述第一进气组件位于所述腔体内的部分沿所述腔体的内侧壁间隔开设有多个第一气孔；第二进气组件，至少部分所述第二进气组件位于所述容纳空间内，所述第二进气组件位于所述腔体内的部分开设有多个第二气孔；气源组件，所述气源组件连接于所述第一进气组件和所述第二进气组件，所述气源组件被配置为储存第一气体和第二气体，且通过多个所述第一气孔由所述腔体的内侧壁向所述容纳空间的中心方向释放所述第一气体，以及通过所述第二气孔由所述腔盖向所述腔体的底部方向释放所述第二气体，其中，所述第一气体所述第二气体的为不同成分的气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 薄膜沉积设备

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