申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117749125A

主分类号：H03H9/56

分类号：H03H9/56;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/58

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提出了一种D‑BAW空气环结构及其形成方法。所述D‑BAW空气环结构包括下电极以及下电极与围栏层形成的体声波空腔内的下电极一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极的一端设置第二空气环结构。所述D‑BAW空气环结构还包括基底、压电层、下电极、压电层和上钝化层；所述基底的一侧表面上布设有围栏层；所述围栏层的凹槽与所述压电层形成的体声波空腔内设置有下电极，并且，下电极布设于压电层靠近围栏层一侧的表面上；所述下电极远离压电层的一侧表面上布设有压电层；所述压电层的远离围栏层一侧的表面上布设有上电极；在所述上电极的远离压电层）的一侧表面上布设有上钝化层。

主权项：1.一种D-BAW空气环结构，其特征在于，所述D-BAW空气环结构包括下电极（14）以及下电极（14）与围栏层（2）形成的体声波空腔（8）内的下电极（14）一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极（12）的一端设置第二空气环结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳新声半导体有限公司 一种D-BAW空气环结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD