申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747381A

主分类号：H01J23/04

分类号：H01J23/04;H01J9/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种低蒸散的覆膜扩散阴极，制备及应用。所述覆膜扩散阴极包括阴极基体、发射材料以及贵金属膜层；其中，所述发射材料为钡锶钙铝氧化物四元阴极发射物质；所述钡锶钙铝各元素的摩尔比为10‑35:1‑20:1‑20:2‑50。本发明通过大量实验研究设计出一种新的发射材料配方组合，在锶元素的引入下有利于降低发射材料的蒸散速率，同时在钡锶钙铝元素的合适配比下，进一步降低发射材料的蒸散速率，同时使电流密度保持较高的水平。因此，以上述发射材料制备得到的覆膜扩散阴极具有较低的蒸散速率、高可靠的性能，同时阴极发射性能能够满足真空器件的使用条件，尤其适合有低蒸散长寿命需求的行波管、速调管等真空器件中使用。

主权项：1.一种低蒸散的覆膜扩散阴极，其特征在于，所述覆膜扩散阴极包括阴极基体、发射材料以及贵金属膜层；其中，所述发射材料为钡锶钙铝氧化物构成的四元阴极发射物质；所述钡锶钙铝各元素的摩尔比为10-35:1-20:1-20:2-50。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种低蒸散的覆膜扩散阴极，制备及应用

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