申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2023-11-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741376A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种单粒子效应敏感性测试的方法，包括：对SiCMOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到样品器件的内部缺陷密度，基于内部缺陷密度得到单粒子效应敏感性。本发明利用低频噪声分析单粒子效应的敏感性，解决SiCMOSFET单粒子效应辐照试验后电学参数退化不明显以及不准确的问题。

主权项：1.一种单粒子效应敏感性测试的方法，其特征在于，包括：对SiCMOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到所述样品器件内部的缺陷密度；基于所述缺陷密度得到所述单粒子效应敏感性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种单粒子效应敏感性测试的方法

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