申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117749126A

主分类号：H03H9/56

分类号：H03H9/56;H03H3/02;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/58

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提出了一种D‑BAW框架结构及其形成方法，属于体声波滤波器技术领域；所述D‑BAW框架结构包括基底、围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层；所述围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层依次沉积于基底上；所述上电极上设置有Frame架构。所述上电极的远离压电层一侧表面上设置有内凹结构。

主权项：1.一种D-BAW框架结构的形成方法，其特征在于，所述D-BAW框架结构的形成方法包括：步骤1、在衬底（10）上沉积热氧化层（11），并且，所述热氧化层（11）仅覆盖部分衬底（10）；步骤2、在所述热氧化层（11）和裸露的衬底（10）上依次沉积上电极（12）和填充层（13）；步骤3、对所述填充层（13）进行刻蚀使上电极（12）的表面平坦化；步骤4、在平台化后的上电极（12）的表面上依次沉积压电层（14）和下电极（15），并刻蚀去除衬底（10）；步骤5、对下电极（15）进行部分刻蚀去除，并在下电极（15）远离压电层（14）一侧的表面上沉积下钝化层（20）；步骤6、裸露的部分压电层（14）表面以及下钝化层（20）的部分表面上沉积牺牲层（16）；步骤7、在所述压电层（14）的剩余裸露表面以及下钝化层（20）的剩余裸露表面上沉积围栏层（17），并且，所述围栏层（17）与牺牲层（16）保持水平；步骤8、在围栏层（17）与牺牲层（16）共同的水平面上布设基底（18）；步骤9、对上电极（12）进行部分刻蚀使暴露填充层，同时，对所述热氧化层（11）进行刻蚀去除，并在上电极（12）和裸露的填充层（13）的表面上沉积上钝化层（19）；所述上钝化层（19）沉积完成之后，对牺牲层（16）进行刻蚀去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳新声半导体有限公司 一种D-BAW框架结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD