申请/专利权人：天津鑫钰半导体设备有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747389A

主分类号：H01J37/244

分类号：H01J37/244;H01J37/317

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种三段式法拉第杯、离子注入设备及校准方法，属于半导体工艺设备技术领域，三段式法拉第杯包括有相互独立的第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯，第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯均呈条形且在宽度方向上依次相邻地并排或交叠设置，第一法拉第杯、第二法拉第杯和第三法拉第杯的长度均大于离子束的截面的长度。本方案将离子束分成三部分进行检测，既能够测流强，又能够反映离子束的大致位置，在不明显增加体积和结构复杂度的情况下丰富了法拉第杯的功能，空间利用率高；并且，在后续通过离子束分析仪对离子束进行精度较高的检测及调节时，能够更便于进行，从而整体提高束流调试过程的效率。

主权项：1.一种三段式法拉第杯，其特征在于，包括有相互独立的第一法拉第杯1、第二法拉第杯2和第三法拉第杯3，所述第一法拉第杯1、所述第二法拉第杯2和所述第三法拉第杯3均呈条形且在宽度方向上依次相邻地并排或交叠设置，所述第一法拉第杯1、所述第二法拉第杯2和所述第三法拉第杯3的长度均大于离子束B的截面的长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津鑫钰半导体设备有限公司 一种三段式法拉第杯、离子注入设备及校准方法

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