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【发明公布】一种通过三甲基铟预流以平滑铝铟氮外延薄膜的方法_厦门大学_202311779287.8 

申请/专利权人:厦门大学

申请日:2023-12-20

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117737839A

主分类号:C30B25/02

分类号:C30B25/02;C30B29/40

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明公开了一种通过三甲基铟预流以平滑铝铟氮外延薄膜的方法。所述方法包括:将反应衬底放置于反应室内,当反应室温度升至生长温度时,往反应室内通入含有含铟前驱物的预流气体;通入时间达到预定时间后停止,开始进行铝铟氮外延薄膜的生长。本发明通过在铝铟氮外延薄膜生长前,将含有含铟前驱物的气流提前通入至反应室中,当中的铟能够作为表面活化剂,与生长衬底中的氮悬挂键相结合,从而减少了后续铝铟氮外延薄膜生长过程当中,Al原子与氮悬挂键相结合而被束缚的几率,从而能够增加表面吸附Al原子的扩散距离,进而并入到合适的晶格位点当中,最终形成平滑的铝铟氮外延薄膜生长表面。

主权项:1.一种通过三甲基铟预流以平滑铝铟氮外延薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:将反应衬底放置于反应室内,当反应室温度升至生长温度时,往反应室内通入含有含铟前驱物的预流气体;通入时间达到预定时间后停止,开始进行铝铟氮外延薄膜的生长。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门大学 一种通过三甲基铟预流以平滑铝铟氮外延薄膜的方法

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