申请/专利权人：苏州园芯微电子技术有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735477A

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及制作方法，芯片封装结构包括：相对设置的器件层和衬底层；器件层的第一表面上设置有第一金属体；衬底层的第二表面上设置有第二金属体，在衬底层的厚度方向上第一金属体和第二金属体投影交叠；器件层和衬底层通过第一金属体和第二金属体键合；在第一表面上于第一金属体的四周分别设置至少一个第一挡坝结构，和或，在第二表面上于第二金属体的四周分别设置至少一个第二挡坝结构，在第一表面和或第二表面上设置至少一个凹槽，第一挡坝结构和或第二挡坝结构与同一表面上的凹槽相配合防止键合产生的金属合金外溢。本发明改善了金属共晶键合时外溢的液相合金的溢流路径，避免外溢至芯片功能区。

主权项：1.一种MEMS芯片封装结构，其特征在于，包括相对设置的器件层和衬底层；所述器件层具有靠近所述衬底层一侧的第一表面，在所述第一表面上设置有第一金属体；所述衬底层具有靠近所述器件层一侧的第二表面，在所述第二表面上设置有第二金属体，在所述衬底层的厚度方向上，所述第一金属体和所述第二金属体投影交叠；所述器件层的所述第一表面和所述衬底层的所述第二表面通过所述第一金属体和所述第二金属体相键合；其中，在所述第一表面上，于所述第一金属体的四周分别设置至少一个第一挡坝结构，和或，在所述第二表面上，于所述第二金属体的四周分别设置至少一个第二挡坝结构；在所述第一表面和或所述第二表面上设置至少一个凹槽，所述第一挡坝结构和或所述第二挡坝结构与同一表面上的所述至少一个凹槽相配合防止键合产生的金属合金外溢。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州园芯微电子技术有限公司 一种MEMS芯片封装结构及制作方法

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