申请/专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所

申请日：2021-10-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113917304B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.01.28#实质审查的生效;2022.01.11#公开

摘要：本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运算拟合成为晶体管寄生电容曲线，对辐照前后测试得到的碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容曲线进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值，再设定合理的预值范围，超出预值则会根据实验积累的数据快速判断是否会对器件的开关性能产生严重影响。本发明操作方便快捷，具有一定的通用性。

主权项：1.一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，其特征在于，该方法涉及的装置是由静电试验平台、样品测试版、电容-电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，在静电试验平台（1）上放置样品测试板（2），在样品测试板（2）上放置碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3），样品测试板（2）分别于电容-电压单元模块（4）、源测量单元模块（5）和计算机（6）通过USB数据线连接，具体操作按下列步骤进行：a、保持环境温度恒定，将受辐照后的碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）置于实验测试环境中30分钟，使其温度与环境湿度保持一致；b、将受辐照后的碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）固定在样品测试板（2）上，再将样品测试板（2）通过USB数据线与电容-电压单元模块（4）和源测量单元模块（5）相连，设置电容-电压单元模块（4）的交流电压幅值30mV频率为1MHz，设置源测量单元模块（5）扫描电压区间为0-30V，开始进行结构电容测试，通过计算机（6）进行结构电容数据的收集；c、将步骤b收集到的结构电容数据经过优化拟合成为随扫描电压变化的结构电容曲线；d、将步骤c所获得的结构电容曲线去除由于测试时受到环境干扰而引入的尖峰得到更为平滑的曲线；e、根据碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）数据表中的晶体管寄生电容曲线，将步骤d中处理过后的结构电容曲线通过固定的算法运算拟合，得到晶体管寄生电容曲线；f、将步骤e得到的晶体管寄生电容曲线与原数据库进行比对，自动生成米勒平台区域产生的差值；g、将步骤f产生的差值与碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）数据表的数值比对判断寄生电容超差；h、将g步骤中给出的寄生电容超差结果的个数进行与关系运算，得到该寄生电容的退化程度对器件的开关性能产生严重影响的最终判断结果。

全文数据：

权利要求：

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