申请/专利权人：浙江工业大学

申请日：2022-06-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114836769B

主分类号：C25B1/23

分类号：C25B1/23;C25B1/55;C25B11/059;C25B11/081;C25B11/087

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.08.02#公开

摘要：本发明公开了一种2,6‑二氨基吡啶银多孔光电极材料及其制备方法和应用；该光电极材料由含有硅纳米线的基底，沉积在硅纳米线上的银纳米颗粒，以及与银纳米颗粒形成配位的2,6‑二氨基吡啶组成。该光电极材料采用节能价格低廉的方法合成，对光电催化还原CO2具有超高的催化活性，且对还原产物CO的选择性极高，最优反应条件下，对CO的选择性高达84.56％，相较p‑SiAg对照样品提高了近24％。此外，本发明提供的光电极材料在光电催化还原二氧化碳制一氧化碳的应用中，极大地节省了还原CO2所需的能量，提高了CO2RR过程的活性和目标产物CO的选择性，有利于实现国家双碳目标，具有非常广阔的应用前景。

主权项：1.一种2,6-二氨基吡啶银多孔光电极材料在光电催化还原二氧化碳制备一氧化碳中的应用；其特征在于：所述的一种2,6-二氨基吡啶银多孔光电极材料由含有硅纳米线的基底，沉积在硅纳米线上的银纳米颗粒，以及与银纳米颗粒形成配位的2,6-二氨基吡啶组成；光电催化还原二氧化碳制备一氧化碳的反应过程中，工作电极的电位为-0.6V至-1.2V；所述的一种2,6-二氨基吡啶银多孔光电极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一、p-Si电极的制备：在经过预处理的硅片的背面用导电胶带密封后，将其放入1-1.5wt%氢氟酸中浸泡以形成具有还原性的Si-H键；将硅片经去离子水清洗后，放入1.5-2wt%氢氟酸1-1.5mM硝酸银的混合溶液中至表面形成淡红色的薄膜；取出硅片；用去离子水清洗硅片表面多余银颗粒并将其置于含有1-1.5wt%氢氟酸和1-1.5wt%双氧水的刻蚀液中静置1h后，放入35-40wt%硝酸溶液中浸泡10min以去除硅纳米线中的银颗粒；最后，将导电胶带撕下后，在制得的硅纳米线背部涂上一层镓铟合金，用银膏将镀锡铜线与镓铟合金黏合，并用RTV硅胶密封整个背部，得到p-Si电极；步骤二、p-SiAg电极的制备：将p-Si电极放入1-1.5wt%氢氟酸中静置15min后，用去离子水清洗并置于1.5-2wt%氢氟酸1-1.5mM硝酸银溶液中浸渍15-30s，使得p-Si电极的表面形成均匀的银层，得到p-SiAg电极；步骤三、多孔光电极材料制备：将p-SiAg电极放入60mL含0.01-0.02g2,6-DAP的乙醇溶液中，静置100min后取出，并依次用乙醇和去离子水冲洗多次，最后用氮气吹干，得到2,6-二氨基吡啶银多孔光电极材料；所述硅片的预处理过程为：将p型单晶硅片依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗以清除硅片表面油脂；其次，将硅片浸没于双氧水中并逐滴加入浓硫酸，静置后取出，并用去离子水洗去残留的浓硫酸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江工业大学 一种2,6-二氨基吡啶/银多孔光电极材料及其制备方法和应用

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