申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2023-02-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116190209B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明提供一种低介电常数介质层及金属互连结构的制作方法，通过优化低介电常数介质层的制备方法中前驱物和含氧的反应气体的组分配比，使所述低介电常数介质层具有改善的机械强度同时其介电常数变化不大。本发明的金属互连结构的制作方法中包括根据前述的低介电常数介质层的制作方法制作金属间介质层，所述金属间介质层具有接近于氧化层的硬度，减轻机械强度失配导致的形变；同时，在后续的刻蚀工艺中金属间介质层的刻蚀抗性提升，所述金属间介质层相对于用作保护层的氧化层的刻蚀选择性降低，改善金属间介质层中刻蚀形成的通孔或沟槽形貌，避免刻蚀图形异常而增加后续金属填充工艺的难度和或引入孔洞，有利于提升元件之间的电性能。

主权项：1.一种低介电常数介质层的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一衬底；提供气体混合物，所述气体混合物包括前驱物和含氧的反应气体，所述前驱物包括八甲基环化四硅氧烷，所述反应气体包括O2；将所述气体混合物通入反应腔室中，通过等离子体增强化学气相沉积工艺于所述衬底上形成低介电常数介质层，采用具有射频源的化学气相沉积工艺形成所述低介电常数介质层的步骤包括调节八甲基环化四硅氧烷相对于O2之间的流量比介于15.6-16.9之间，所述低介电常数介质层包含含碳的第一硅氧化物和第二硅氧化物；其中，通过增加所述气体混合物中所述反应气体的含量百分比使所述低介电常数介质层中所述第一硅氧化物的组分含量降低以增强低介电常数介质层的机械强度，所述第一硅氧化物包括SiOCH，所述第二硅氧化物以化学计量式表示为SiOx。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 低介电常数介质层及金属互连结构的制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD