申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2019-02-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111868890B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开

摘要：在短时间内除去腔室内的残留卤素等，改善吞吐量的等离子体处理方法具有：蚀刻工序，在腔室内蚀刻晶片；等离子体清洁工序，通过向腔室内导入包含卤素元素的气体，从而除去所述腔室的内壁的异物；以及残留卤素除去工序，通过在所述腔室内交替地反复含有氧的等离子体的导通状态和截止状态，从而除去在所述等离子体清洁工序中残留在所述腔室内的卤素元素。

主权项：1.一种等离子体处理方法，在处理室内对样品进行等离子体处理，其特征在于，具有：第一工序，对所述样品进行等离子体处理；第二工序，在所述第一工序后，使用通过氩气和三氟化氮NF3气体生成的连续放电的等离子体对所述处理室内进行等离子体清洁；以及第三工序，在所述第二工序后，使用通过进行了脉冲调制的高频电力以及氩气和氧气而生成的等离子体对所述处理室内进行等离子体清洁，所述脉冲调制的脉冲波形是重复单一矩形的波形，所述脉冲调制中的脉冲的截止时间长于流入所述处理室的内壁的负离子的流量大于流入所述处理室的内壁的电子的流量的等离子体的截止时间，或者所述脉冲的截止时间与所述等离子体的截止时间相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 等离子体处理方法以及等离子体处理装置

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