申请/专利权人：日立能源有限公司

申请日：2019-10-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113169154B

主分类号：H01L23/62

分类号：H01L23/62;H01L25/07

优先权：["20181207 EP 18211088.2"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.19#专利申请权的转移;2021.11.30#著录事项变更;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：一种功率半导体模块，包括：基板1；设置在基板1的顶部表面上并与基板接触的半导体芯片2；设置在半导体芯片2的顶部表面上的预型件3；与预型件3的顶部表面接触并将压力施加到预型件的顶部表面上的按压元件4。预型件3包括第一导电层6和第二导电层5。第一导电层6具有至少一个突起7，该至少一个突起朝向半导体芯片2的顶部表面突出并且在预型件3的第一导电层6中限定至少一个凹部9，其中凹部9可以环形地围绕突起7。至少一个突起7由与第一导电层6相同的材料制成并与第一导电层一体地形成，或者第一导电层6和至少一个突起7由不同的材料制成。第二导电层5的至少一部分被定位在凹部9中和在半导体芯片2的顶部表面上。至少一个突起7的材料具有比第二导电层5的材料更高的熔点。功率半导体模块被配置成使得在具有热量消散的半导体芯片故障的事件中，在由按压元件4朝向基板1施加压力时，第一导电层6的至少一个突起7穿透半导体芯片2的剩余的材料8，以便在短路故障模式下在第一导电层6的至少一个突起7与基板1之间建立接触并形成桥接有缺陷的半导体芯片2的短路。预型件3的底部表面可以由第二导电层5的底部表面单独形成或由第二导电层5的底部表面和突起7的底部表面形成。

主权项：1.一种功率半导体模块，包括：基板1，所述基板具有顶部表面和底部表面；半导体芯片2，所述半导体芯片具有底部表面和顶部表面，所述半导体芯片2设置在所述基板1的顶部表面上，所述半导体芯片2的底部表面与所述基板1的顶部表面接触，所述半导体芯片2包括宽带隙半导体材料；预型件3，所述预型件具有底部表面和顶部表面，所述预型件3设置在所述半导体芯片2的顶部表面上，所述预型件3的底部表面与所述半导体芯片2的顶部表面接触；按压元件4，所述按压元件与所述预型件3的顶部表面接触并被构造成将压力施加到所述预型件3的顶部表面上，其特征在于，所述预型件3包括第一导电层6和第二导电层5，所述第一导电层6具有至少一个突起7，所述至少一个突起朝向所述半导体芯片2的顶部表面突出并且在所述预型件3的所述第一导电层6中限定至少一个凹部9，所述至少一个突起7和所述第一导电层6由相同的材料或由不同的材料制成，所述第二导电层5的至少一部分被定位在所述凹部9中并且在所述半导体芯片2的顶部表面上，所述至少一个突起7的材料具有比所述第二导电层5的材料更高的熔点，并且所述功率半导体模块被配置成使得在具有热量消散的半导体芯片故障的事件中，在由所述按压元件4朝向所述基板1施加压力时，所述第一导电层6的至少一个突起7穿透所述半导体芯片2的剩余的材料8，以便在短路故障模式下在所述第一导电层6的至少一个突起7与所述基板1之间建立接触并形成桥接有缺陷的半导体芯片2的短路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日立能源有限公司 用于功率半导体器件的混合短路故障模式预型件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD