申请/专利权人：枣庄睿诺电子科技有限公司

申请日：2022-05-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114921750B

主分类号：C23C14/02

分类号：C23C14/02;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/54

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.09.06#实质审查的生效;2022.08.19#公开

摘要：本发明提供了一种高附着力光电薄膜及其制备方法和应用，所述高附着力光电薄膜包括依次层叠设置的衬底、过渡层以及金属层；所述过渡层包括氧化钼层；所述金属层包括两层钼层以及所述两层钼层中间夹设的铝层；所述制备方法包括：对预处理后的衬底表面进行粗糙化处理；采用磁控溅射法在经粗糙化处理后的衬底表面沉积过渡层，得到半成品；采用磁控溅射法在得到的半成品的过渡层上沉积金属层，得到光电薄膜；所述光电薄膜通过将氧化钼层作为过渡层，极大地提高了衬底与金属层之间的附着性；所述制备方法工艺流程简单，无需使用危险化学溶液，安全性高，所得产品良率高，具有较好的工业化应用前景。

主权项：1.一种高附着力光电薄膜，其特征在于，所述高附着力光电薄膜包括依次层叠设置的衬底、过渡层以及金属层；所述过渡层包括氧化钼层；所述过渡层的厚度为2-5nm；所述金属层包括两层钼层以及所述两层钼层中间夹设的铝层；所述高附着力光电薄膜采用如下方法制备，所述方法包括：（1）对预处理后的衬底表面进行粗糙化处理；所述预处理包括依次进行的UV照射、清洗、干燥以及热处理；采用碱性溶液进行所述清洗；所述热处理在真空条件下进行；所述热处理的温度为120-200℃；所述热处理的时间为20-60s；所述热处理后，所述衬底的温度为80-200℃；所述粗糙化处理包括：采用Ar等离子体对所述衬底的表面进行轰击；所述轰击的时间为10-30s；（2）采用磁控溅射法在步骤（1）经粗糙化处理后的衬底表面沉积过渡层，得到半成品；所述衬底的温度控制在80-200℃；（3）采用磁控溅射法在步骤（2）得到的半成品的过渡层上沉积金属层，得到光电薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 枣庄睿诺电子科技有限公司 一种高附着力光电薄膜及其制备方法和应用

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