申请/专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司

申请日：2019-06-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112054113B

主分类号：H10N60/82

分类号：H10N60/82;H10N60/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种超导电路及其制备方法。其中，该超导电路包括：底层结构，其中，底层结构包括超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分,超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分通过同一底层超导层连接。本发明解决了在相关技术中，在实现超导电路中的超导量子比特部分与其余超导电路部分互连时，存在不仅工艺复杂，降低超导电路良率，而且存在金属之间的界面，电学连接质量不高，降低超导量子比特性能的技术问题。

主权项：1.一种超导电路的制备方法，其特征在于，包括：以第一光刻胶覆盖第一区域，以第二光刻胶覆盖第二区域，其中，所述第一区域包括待制备的超导电路的超导量子比特底层部分将在的区域，所述第二区域包括待制备的超导电路的其余超导电路底层部分将在的区域，所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；在所述第二光刻胶上光刻出所述其余超导电路底层部分，并暴露出所述第二光刻胶覆盖的所述第一光刻胶；在暴露出的所述第一光刻胶上光刻出所述超导量子比特底层部分，并在所述第一区域和所述第二区域积淀底层超导材料；去除所述第一光刻胶和所述第二光刻胶，得到超导电路的底层结构，其中，所述超导电路的超导量子比特底层部分和其余超导电路底层部分通过积淀的所述底层超导材料形成的同一底层超导层连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿里巴巴集团控股有限公司 超导电路及其制备方法

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