申请/专利权人：江南大学

申请日：2023-03-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116154022B

主分类号：H01L31/0392

分类号：H01L31/0392;H01L31/102;H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明公开了一种双层SiO2隔离的光电二极管结构、阵列及制造方法，其中一种双层SiO2隔离的光电二极管结构包括，衬底，所述衬底中设置有二氧化硅绝缘层；光电二极管，所述光电二极管设置于所述衬底中，所述光电二极管外设置有二氧化硅隔离层与衬底隔离；本发明的光电二极管阵列显示出更小的漏电电流，更小的噪声，更高的光响应灵敏度，以及与其他器件更好的兼容集成，且具有很强的实用性。

主权项：1.一种双层SiO2隔离的光电二极管结构，其特征在于：包括，衬底（100），所述衬底（100）中设置有二氧化硅绝缘层（101）；光电二极管（200），所述光电二极管（200）设置于所述衬底（100）中，所述光电二极管（200）外设置有二氧化硅隔离层（201）与衬底（100）隔离；所述衬底（100）还包括基底（102）和有效硅层（103），所述二氧化硅绝缘层（101）嵌于基底（102）和有效硅层（103）之间；所述有效硅层（103）上设置有梯形沟槽，所述二氧化硅隔离层（201）铺设于梯形沟槽内表层；所述光电二极管（200）包括设置于梯形沟槽内部的多晶硅（202）和设置于多晶硅（202）上的N区域（203）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江南大学 一种双层SiO₂隔离的光电二极管结构、阵列及制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD