申请/专利权人:索尼公司
申请日:2015-05-29
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN111508982B
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146;H01L27/14;G02B3/00;H04N23/55;H04N25/70
优先权:["20140612 JP 2014-121290"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开
摘要:本发明涉及成像器件和成像装置。所述成像器件包括:设置在半导体基板中的第一光电转换区域、第二光电转换区域以及第三光电转换区域,所述第二光电转换区域被设置为与所述第一光电转换区域相邻,且被设置为与所述第三光电转换区域相邻;第一微透镜,所述第一微透镜被设置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域的上方;以及第二微透镜,所述第二微透镜被设置在所述第三光电转换区域的上方,其中,在横截面图中,所述第一微透镜的最高位置高于所述第二微透镜的最高位置。
主权项:1.一种成像器件,其包括:设置在半导体基板中的第一光电转换区域、第二光电转换区域以及第三光电转换区域,所述第二光电转换区域被设置为与所述第一光电转换区域相邻,且被设置为与所述第三光电转换区域相邻;第一微透镜,所述第一微透镜被设置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域的上方;第二微透镜,所述第二微透镜被设置在所述第三光电转换区域的上方;以及第三微透镜,所述第三微透镜被设置在所述第一微透镜的下方,其中,在横截面图中,所述第一微透镜的最高位置高于所述第二微透镜的最高位置,并且所述第三微透镜的最高位置与所述第二微透镜的最高位置处于相同水平,其中,所述第一微透镜的光入射侧的表面的最低位置低于所述第三微透镜的最高位置,所述第一微透镜的在所述第一微透镜的所述最低位置处的厚度小于所述第一微透镜的在所述第一微透镜的所述最高位置处的厚度。
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