申请/专利权人：MKS仪器有限公司

申请日：2016-05-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112908824B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20150827 US 14/837,512"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开

摘要：一种用于对将功率施加到诸如等离子体腔室等的负载的RF功率供应器进行控制的系统包括：主控功率供应器和从属功率供应器。主控功率供应器向从属功率供应器提供诸如频率及相位信号的控制信号。从属功率供应器接收该频率及相位信号，并且还接收从负载检测到的频谱发射的信号特征。从属RF功率供应器改变施加到负载的从属RF功率供应器的RF输出信号的相位和功率。改变功率将对离子分布函数的宽度进行控制，并且改变相位将对离子分布的波峰进行控制。根据RF发生器与负载之间的耦合，检测不同的频谱发射，包括一次谐波、二次谐波、以及在双频驱动系统的情况下的互调失真。

主权项：1.一种用于RF功率供应器系统的控制器，包括：谐波互调失真IMD处理器，所述谐波互调失真IMD处理器被配置为接收相位设定点和从负载中感测到的频谱发射，所述谐波互调失真IMD处理器生成相位设定；以及相位确定处理器，所述相位确定处理器被配置为接收频率输入信号、来自外部RF发生器的相位输入信号、所述相位设定和施加到所述负载的功率的传感器信号特性中的至少一个，所述相位确定处理器根据所接收到的信号生成相位控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： MKS仪器有限公司 通过针对离子能量分布的RF波形修改的反馈控制

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