申请/专利权人：华东师范大学

申请日：2022-07-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115322783B

主分类号：C09K11/78

分类号：C09K11/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明公开了一种铋离子和或稀土离子共掺的偏硼酸钆荧光材料及合成方法，是在偏硼酸钆GdBO23基底中通过铋离子与稀土离子RE3+共掺杂得到具有高量子产率的光色可调荧光粉的合成方法。本方法通过高温固相反应制备出化学通式为Gd1‑x‑yBO23:xBi3+‑yRE3+其中x的取值范围为0x≤0.30，y的取值范围为0≤y≤0.10的固体发光材料。在此类发光材料中通过调整铋离子和或稀土离子的掺杂比例可以得到可应用于制备白光LED的具有高量子产率的白光荧光材料。

主权项：1.一种铋离子和或稀土离子共掺的偏硼酸钆荧光材料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：依据化学通式Gd0.65BO23:0.25Bi3+-0.05Dy3+-0.05Sm3+或Gd0.695BO23:0.25Bi3+-0.025Tb3+-0.03Sm3+，分别将对应原料按照化学计量比称取后，放入研钵中充分研磨，硼酸H3BO3需过量10%-20%，用以补偿反应过程中的挥发损失；所述化学通式为Gd0.65BO23:0.25Bi3+-0.05Dy3+-0.05Sm3+，对应原料：硼酸H3BO3、氧化钆Gd2O3、氧化铋Bi2O3、氧化镝Dy2O3和氧化钐Sm2O3；所述化学通式为Gd0.695BO23:0.25Bi3+-0.025Tb3+-0.03Sm3+，对应原料：硼酸H3BO3、氧化钆Gd2O3、氧化铋Bi2O3、七氧化四铽Tb4O7和氧化钐Sm2O3；步骤2：将充分研磨的原料压制片后，放入高温炉中，在500-700℃范围内保温10-20小时后自然冷却至室温，得到第一次中间产物；步骤3：将步骤2所得的第一次中间产物研磨均匀后再次压片，并放入高温炉中，1-2℃分钟升温至700-900℃，保温10-15小时后自然冷却至室温，得到第二次中间产物；步骤4：将步骤3所得的第二次中间产物充分研磨后再次压片放入高温炉中，1-2℃分钟升温至800-900℃，保温10-15小时后自然冷却至室温，得到所述的偏硼酸钆GdBO23荧光材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东师范大学 一种铋离子和/或稀土离子共掺的偏硼酸钆荧光材料及合成方法

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