申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2017-03-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112599401B

主分类号：H01J37/34

分类号：H01J37/34;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/285;H01L21/683;H01L21/768;C23C14/35;C23C14/54

优先权：["20160305 US 62/304,173"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开

摘要：公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。

主权项：1.一种物理气相沉积腔室，包括：主体，具有内部容积和被配置为支撑待溅射靶材的盖组件；磁控管，设置在所述靶材位置的上方，其中所述磁控管经构造以围绕所述物理气相沉积腔室的中心轴线旋转多个磁体；基板支撑件，设置在所述内部容积中并与所述靶材位置相对，并且具有支撑表面，所述支撑表面经构造以支撑基板；准直器，设置在所述盖组件与所述基板支撑件之间，所述准直器具有中心区域和周边区域，所述中心区域具有第一厚度并且所述周边区域具有小于所述第一厚度的第二厚度；第一组磁体，围绕所述主体设置且接近所述靶材位置；第二组磁体，围绕所述主体设置且处于所述基板支撑件的支撑表面上方；第一电源，被配置为耦合到所述靶材以电偏置所述靶材；和第二电源，耦合到所述基板支撑件以电偏置所述基板支撑件，其中所述多个磁体被配置为围绕所述中心轴线在所述基板的外径至所述内部容积的外径之间延伸的环形区域内旋转，以在所述准直器的所述周边区域上方的所述环形区域内形成用于溅射所述靶材的等离子体，所述第一组磁体被配置为在所述准直器的所述周边区域中形成具有实质上竖直的磁场线的磁场，以引导离子通过所述准直器的所述周边区域，并且所述第二组磁体被配置为形成具有指向所述支撑表面的中心的磁场线的磁场，以将所述离子引导到所述支撑表面的中心。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备

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