申请/专利权人:福建华清电子材料科技有限公司
申请日:2022-12-28
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN115894047B
主分类号:C04B35/581
分类号:C04B35/581;C04B35/10;C04B35/622;H01L21/48
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开
摘要:本发明涉及半导体封装领域,提供一种MOS封端用管壳的制备方法,解决采用现有技术的制备方法获得的MOS封装用管壳底板容易发生开裂的缺陷,包括以下制备步骤:1管壳模具的构建;2浆料的制备:所述浆料为氧化铝陶瓷浆料或氮化铝陶瓷浆料;3注浆:将步骤2制得的浆料注入步骤1构建好的管壳模具内;4烧结成型;5脱模。
主权项:1.一种MOS封装用管壳的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:(1)管壳模具的构建:所述管壳模具包括模具本体,所述模具本体包括上模和下模,所述下模具有中空底腔体,所述上模包括上模体和间隔设置在上模体上的若干间隔条,其中两个间隔条之间的空腔上设有注浆口,各所述间隔条底部与中空底腔体互通;(2)浆料的制备:所述浆料为氧化铝陶瓷浆料或氮化铝陶瓷浆料;(3)注浆:将步骤(2)制得的浆料通过注浆口注入步骤(1)构建好的管壳模具内;(4)烧结成型;(5)脱模;所述上模包括上模体和间隔设置在上模体上的4根间隔条,从左到右分别为第一间隔条、第二间隔条、第三间隔条及第四间隔条,所述注浆口设置在第二间隔条和第三间隔条之间的腔体内;所述第一间隔条和第二间隔条之间为第一隔腔体,所述第二间隔条和第三间隔条之间为第二隔腔体,所述第三间隔条和第四间隔条之间为第三隔腔体。
全文数据:
权利要求:
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