申请/专利权人：度亘核芯光电技术(苏州)有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117393666B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本申请提供了一种超辐射发光二极管，包括自下而上层叠设置的衬底、缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层。所述有源层包括：量子点堆叠层和量子阱层。所述量子点堆叠层包括：n组量子点单元，每一组所述量子点单元包括自下而上层叠设置的量子点单层、覆盖层和间隔层。所述量子阱层的材料为InxGa1‑xAs，其中，0.22≤x≤0.38。所述量子阱层的发光峰的位置在所述量子点堆叠层的基态发光峰和激发态发光峰之间。按照本申请中有源层的结构设置，可以在适当拓宽光谱宽度的同时，消除不同发光峰之间的dip过大的问题，以使得超辐射发光二极管应用于OCT成像系统时，能够消除成像鬼影。

主权项：1.一种超辐射发光二极管，包括自下而上层叠设置的衬底、缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层；其特征在于，所述有源层包括：量子点堆叠层和量子阱层；所述量子点堆叠层包括：n组量子点单元，每一组所述量子点单元包括自下而上层叠设置的量子点单层、覆盖层和间隔层，所述量子点单层的材料为InAs，厚度为2.2-3ML；所述覆盖层的材料为InGaAs，厚度为3-7nm；所述间隔层的材料为GaAs，厚度为30-40nm，所述n的取值范围为：5≤n≤8；所述量子阱层的材料为InxGa1-xAs，其中，0.22≤x≤0.38；所述量子阱层位于所述量子点堆叠层和所述第二波导层之间；所述量子阱层的厚度为5-9nm；所述量子阱层发光峰对应波长的所在位置，在所述量子点堆叠层基态发光峰对应波长的所在位置和所述量子点堆叠层激发态发光峰对应波长的所在位置之间。

全文数据：

权利要求：

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