申请/专利权人：三菱综合材料株式会社

申请日：2020-12-02

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114829302B

主分类号：C01B33/02

分类号：C01B33/02;H01M4/38

优先权：["20191210 JP 2019-223082"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明提供一种硅微粒等，其包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上且通过下述式1求出的圆度的平均值为0.93以上的粒子，通过激光衍射散射法测定的体积基准的平均粒径在0.8μm以上且8.0μm以下的范围内，通过激光衍射散射法测定的个数基准的平均粒径在0.100μm以上且0.150μm以下的范围内，通过BET法测定的比表面积在4.0m2g以上且10m2g以下的范围内。式1：圆度＝4×π×粒子的投影面积12粒子的周长。

主权项：1.一种硅微粒，其特征在于，包含通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，关于所述硅微粒，通过激光衍射散射法测定的体积基准的平均粒径在0.8μm以上且8.0μm以下的范围内，在通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布中，累积频率为10体积%的粒径D10为0.160μm以下，累积频率为50体积%的粒径D50为0.600μm以下，累积频率为90体积%的粒径D90为20μm以下，通过激光衍射散射法测定的个数基准的平均粒径在0.100μm以上且0.150μm以下的范围内，通过BET法测定的比表面积在4.0m2g以上且8.0m2g以下的范围内，所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子的平均纵横比为1.33以下，关于所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，通过下述式（1）求出的圆度的平均值为0.93以上，圆度=（4×π×粒子的投影面积）12粒子的周长（1），关于所述通过显微镜法测定的粒径为1μm以上的粒子，通过下述式（2）求出的凹凸度的平均值为0.96以上，凹凸度=粒子的包络周长粒子的周长（2），所述粒子的周长是从硅微粒的放大图像测量的粒子的投影轮廓线的长度，所述粒子的包络周长是将从硅微粒的放大图像测量的粒子的凸部以最短的距离连结的图形的周围长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱综合材料株式会社 硅微粒及其制造方法

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