申请/专利权人：成都宏科电子科技有限公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220651833U

主分类号：H01G2/06

分类号：H01G2/06;H01G4/228;H01G4/224

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型涉及芯片电容技术领域，具体涉及一种预制金锗层的芯片电容，包括介质层，还包括安装组件，安装组件包括上电极层、下电极层和金锗层，上电极层与介质层连接，下电极层与介质层连接，金锗层与下电极层连接，通过对芯片电容器进行预制金锗焊盘，只需通过加热金锗层就能使产品安装面融化从而焊接于电路板中，从而提高安装效率。

主权项：1.一种预制金锗层的芯片电容，包括介质层，其特征在于，还包括安装组件，所述安装组件包括上电极层、下电极层和金锗层，所述上电极层与所述介质层连接，并位于所述介质层的一侧，所述下电极层与所述介质层连接，并位于所述介质层远离所述上电极层，所述金锗层与所述下电极层连接，并位于所述下电极层的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都宏科电子科技有限公司 一种预制金锗层的芯片电容

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