申请/专利权人：意法半导体股份有限公司

申请日：2023-07-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652015U

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488

优先权：["20220728 IT 102022000016002","20230721 US 18/224,805"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体芯片，具有前金属层，前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部，其中前金属层包括第一区域和第二区域；其中第一区域处的前金属层上方的表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口，第一钝化开口暴露第一区域处的前金属层；接触层，用于与电晶片分选探针接触，接触层被定位在第一钝化开口中，与第一区域处的前金属层接触；以及其中第二区域处的前金属层上方的表面钝化部的部分去除设置第二钝化开口，第二钝化开口不暴露第二区域处的前金属层。本公开的实施例有利地不涉及专用探针卡，并且可以提供专用的焊盘精整以便于安全的点晶片分选和组装。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体芯片，具有前金属层，所述前金属层具有在所述前金属层上方延伸的表面钝化部，其中所述前金属层包括第一区域和第二区域；其中所述第一区域处的所述前金属层上方的所述表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口，所述第一钝化开口暴露所述第一区域处的所述前金属层；接触层，用于与电晶片分选探针接触，所述接触层被定位在所述第一钝化开口中，与所述第一区域处的所述前金属层接触；以及其中所述第二区域处的所述前金属层上方的所述表面钝化部的部分去除设置第二钝化开口，所述第二钝化开口不暴露所述第二区域处的所述前金属层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体股份有限公司 半导体器件

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