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【实用新型】一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤_江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司_202322058448.6 

申请/专利权人:江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司

申请日:2023-08-02

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN220650930U

主分类号:G02B6/02

分类号:G02B6/02;G02B6/028;G02B6/036

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权

摘要:本实用新型公开一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤,该光纤为渐变型光纤,包括芯层和包层,芯层的折射率为抛物线型分布,包层包括三下陷包层和外包层。本实用新型中,芯层采用渐变抛物线型折射率分布,充分利用其可抑制非线性效应、放宽MAC对模场直径的容忍程度的优点,可较大程度降低芯层锗的掺杂量,使芯层和内包层粘度匹配更优,通过优化芯层折射率水平、调控三下陷包层的深度及宽度,可实现宏弯水平符合G.657A2的标准,满足FTTH复杂的布局环境的要求,同时拥有大的模场直径,可与常规G.652D完全兼容;外包层掺铝,可提升玻璃的粘度,拉丝时将应力集中在包层,芯层受力较少,减少光纤内部缺陷,从而降低光纤衰减。

主权项:1.一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤,其特征在于,所述光纤为渐变型光纤,包括芯层和包层,所述芯层的折射率为抛物线型分布,所述包层包括三下陷包层和外包层;所述三下陷包层包括由内至外依次设置的内包层、下陷包层和缓冲下陷包层,所述芯层、外包层、内包层、缓冲下陷包层、下陷包层的相对折射率差逐渐减小。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏亨通光导新材料有限公司;江苏亨通光电股份有限公司;江苏亨通光纤科技有限公司 一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤

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