申请/专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766409A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;C23C26/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，步骤包括：取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空；腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热；保持腔体内温度在T1，并抽真空；将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空；保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应。本发明不但能降低使用金锡焊料烧结元器件时的空洞率，还能提高产品质量和可靠性。

主权项：1.一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；S2、将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空一，所述T0为50-70℃；S3、腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；S4、将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热，所述T1为200-250℃；S5、保持腔体内温度在T1，并抽真空二50-100s；S6、将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空三，所述T2为300-350℃；S7、保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应，反应时间为40-100s。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司;哈尔滨工业大学 一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD