申请/专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766390A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种具有自偏置结构的RC‑IGBT及其制作方法。该方法包括在衬底的上侧制作形成元胞结构和终端结构；从衬底的下侧对器件进行减薄处理，并在衬底的下端依次制作形成N型掺杂区和P型掺杂区；在衬底的下侧刻蚀形成若干第一副沟槽和第二副沟槽，在第二副沟槽上端四周制作形成P‑buried区；在第一副沟槽和第二副沟槽内制作形成隔离氧化层，然后制作形成设置在第一副沟槽内的副控栅和设置在第二副沟槽内的自偏栅；在副控栅的下端淀积介质层；在衬底的下侧制作集电极金属，集电极金属与自偏栅连接，副控栅通过插设在衬底上的导体引出。本发明能够完全消除RC‑IGBT的回跳现象、减小反向导通时的导通压降。

主权项：1.一种具有自偏置结构的RC-IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供N型的衬底；在所述衬底的上侧制作形成元胞结构和终端结构；从所述衬底的下侧对器件进行减薄处理，并在衬底的下端依次制作形成N型掺杂区和设置在N型掺杂区下侧的P型掺杂区；在所述衬底的下侧刻蚀形成若干第一副沟槽和第二副沟槽，所述第一副沟槽和第二副沟槽的深度大于N型掺杂区的深度；在所述第二副沟槽上端四周制作形成P-buried区；在所述第一副沟槽和第二副沟槽内制作形成隔离氧化层，然后在所述第一副沟槽和第二副沟槽内淀积导电物质，以形成设置在第一副沟槽内的副控栅和设置在第二副沟槽内的自偏栅；在所述副控栅的下端淀积介质层，以将所述副控栅封闭在第一副沟槽内；在所述衬底的下侧制作集电极金属，所述集电极金属与自偏栅连接，所述副控栅通过插设在衬底上的导体引出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京华瑞微集成电路有限公司 一种具有自偏置结构的RC-IGBT及其制作方法

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