申请/专利权人：无锡芯感智半导体有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117500356B

主分类号：H10N19/00

分类号：H10N19/00;H10N10/17;H10N10/01;B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00;G01N21/3504;G01N21/3518

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本公开的实施例提供一种集成MEMS‑CMOS的气体传感器芯片及制备方法，包括：芯片包括芯片本体；芯片本体包括半导体结构层及集成于半导体结构层内的CMOS器件结构和MEMS器件结构；MEMS器件结构包括形成于半导体结构层的若干热电偶对，热电偶对包括冷端热电偶对和热端热电偶对；热端热电偶对设置于芯片本体中心热端处；冷端热电偶对一冷端热电偶作为正极与CMOS器件结构的漏极连接，冷端热电偶对另一冷端热电偶作为负极与CMOS器件结构的P+接触GND端连接；CMOS器件结构的栅极与外围电路的多路复选器连接；其中，利用导线层分别将负极和P+接触GND端连接，及将栅极与外围电路的多路复选器连接。

主权项：1.一种集成MEMS-CMOS的气体传感器芯片，其特征在于，所述芯片包括芯片本体；所述芯片本体包括半导体结构层及集成于所述半导体结构层内的CMOS器件结构和MEMS器件结构；所述MEMS器件结构包括形成于所述半导体结构层的若干热电偶对，所述热电偶对包括冷端热电偶对和热端热电偶对；所述热端热电偶对设置于所述芯片本体中心热端处；所述冷端热电偶对一冷端热电偶作为正极与所述CMOS器件结构的漏极连接，所述冷端热电偶对另一冷端热电偶作为负极与所述CMOS器件结构的P+接触GND端连接；所述CMOS器件结构的栅极与外围电路的多路复选器连接；其中，利用导线层分别将所述负极和所述P+接触GND端连接，及将所述栅极与外围电路的多路复选器连接；所述气体传感器芯片上集成有CMOS器件结构和MEMS器件结构阵列；各所述MEMS器件结构对应设置不同波段滤光片，用于检测不同种类气体；所述CMOS器件结构利用信号复用器通过调控阵列中不同单体CMOS器件结构的栅极电压来对MEMS热电堆气体芯片进行选择调控，从而对不同气体浓度的选择性探测。

全文数据：

权利要求：

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