申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117784528A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供晶圆；对光刻机进行第一预补偿和第二预补偿；在晶圆上形成初始鳍部结构，所述第一预补偿的补偿值与初始鳍部结构的前次第一刻蚀偏差之和为0；获取初始鳍部结构的第一刻蚀偏差，所述第一刻蚀偏差与第二预补偿的补偿值相同；根据所述第一刻蚀偏差对光刻机进行第三补偿；对光刻机进行第四预补偿；对光刻机进行第三补偿和第四预补偿之后，对所述初始鳍部结构进行部分刻蚀，形成鳍部结构，所述第四预补偿的补偿值与第二预补偿的补偿值之和为0，所述第二预补偿的补偿值与鳍部结构的前次第二刻蚀偏差相同；获取鳍部结构的第二刻蚀偏差，所述第二刻蚀偏差的值为0。所述方法改善了套刻精度。

主权项：1.一种套刻偏差的补偿方法，其特征在于，包括：提供晶圆；对光刻机进行第一预补偿和第二预补偿；对光刻机进行第一预补偿和第二预补偿之后，在晶圆上形成初始鳍部结构，所述第一预补偿的补偿值与初始鳍部结构的前次第一刻蚀偏差之和为0；获取初始鳍部结构的第一刻蚀偏差，所述第一刻蚀偏差与第二预补偿的补偿值相同；根据所述第一刻蚀偏差对光刻机进行第三补偿；对光刻机进行第四预补偿；对光刻机进行第三补偿和第四预补偿之后，对所述初始鳍部结构进行部分刻蚀，形成鳍部结构，所述第四预补偿的补偿值与第二预补偿的补偿值之和为0，所述第二预补偿的补偿值与鳍部结构的前次第二刻蚀偏差相同；获取鳍部结构的第二刻蚀偏差，所述第二刻蚀偏差的值为0。

全文数据：

权利要求：

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