申请/专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117792283A

主分类号：H03B5/04

分类号：H03B5/04;H03B5/20

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了RC振荡器、偏置电路、芯片、电子设备及电压供应方法，所述第一复制MOS管的沟道长度与所述RC振荡器中反相器PMOS管的沟道长度相同，所述第二复制MOS管的沟道长度与所述RC振荡器中反相器NMOS管的沟道长度相同；电源经由所述降压器件耦合至所述第一复制MOS管的源极；所述第一复制MOS管的栅极与所述第二复制MOS管的漏极耦合、漏极与所述镜像MOS管的漏极耦合；所述第二复制MOS管的漏极和栅极连接、源极接地；所述镜像MOS管的栅极与所述第二复制MOS管的栅极连接、源极接地；所述第一复制MOS管的源极输出的电压供应至所述RC振荡器，作为所述RC振荡器中反相器的偏置电压。

主权项：1.一种RC振荡器的偏置电路，其特征在于，包括降压器件、第一复制MOS管、第二复制MOS管和镜像MOS管，所述第一复制MOS管的沟道长度与所述RC振荡器中反相器PMOS管的沟道长度相同，所述第二复制MOS管的沟道长度与所述RC振荡器中反相器NMOS管的沟道长度相同；电源经由所述降压器件耦合至所述第一复制MOS管的源极；所述第一复制MOS管的栅极与所述第二复制MOS管的漏极耦合、漏极与所述镜像MOS管的漏极耦合；所述第二复制MOS管的漏极和栅极连接、源极接地；所述镜像MOS管的栅极与所述第二复制MOS管的栅极连接、源极接地；所述第一复制MOS管的源极输出的电压供应至所述RC振荡器，作为所述RC振荡器中反相器的偏置电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海市杰理科技股份有限公司 RC振荡器、偏置电路、芯片、电子设备及电压供应方法

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