申请/专利权人：胜高股份有限公司

申请日：2022-06-29

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795655A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G01N13/00;H01L21/304

优先权：["20210812 JP 2021-131787"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：提供能够检测在基于纯水的接触角测定中无法检测到的硅晶片表面的严苛的亲水性水平差异的硅晶片的接触角测定方法。本发明的硅晶片的接触角测定方法包括：向硅晶片的表面滴加液滴的工序；以及根据前述液滴的图像来测定前述硅晶片的表面的接触角的工序，前述液滴由具有比纯水的表面张力大的表面张力的水溶液形成。

主权项：1.硅晶片的接触角测定方法，其包括：向硅晶片的表面滴加液滴的工序；以及根据所述液滴的图像来测定所述硅晶片的表面的接触角的工序，所述液滴由具有比纯水的表面张力大的表面张力的水溶液形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 胜高股份有限公司 硅晶片的接触角测定方法和硅晶片的表面状态的评价方法

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