申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790307A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本申请涉及原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法，方法包括如下步骤：在衬底上生长外延层，制得ε‑Ga2O3异质结；在ε‑Ga2O3异质结上原位外延生长钝化层，制得钝化后的ε‑Ga2O3异质结；在钝化后的ε‑Ga2O3异质结沉积三个电极，制得高电子迁移率晶体管器件。本申请提供的原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法，基于极性ε‑Ga2O3异质结体系，提出一种源漏再生长无掩膜的技术方案，制备的晶体管器件结构简单、源漏金属边缘整齐，极化沟道的限域性和迁移率更佳，经验证具有高耐压、高迁移率、低电流崩塌、抗辐照性能更佳、输出功率更高、接触电阻更低的特点。

主权项：1.一种原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，制得ε-Ga2O3异质结；在ε-Ga2O3异质结上原位外延生长钝化层，制得钝化后的ε-Ga2O3异质结；在钝化后的ε-Ga2O3异质结上沉积三个电极，制得高电子迁移率晶体管器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 原位钝化的超宽禁带高电子迁移率晶体管及其制作方法

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