申请/专利权人：同济大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779196A

主分类号：C30B29/30

分类号：C30B29/30;C30B13/00;C30B33/02;H10N15/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明属于热释电材料技术领域，涉及一种铌酸锶钡晶体及其制备方法与应用，制备方法包括：将锶源、钡源、铌源混合，固相烧结，冷等静压，二次烧结，光学浮区法加热，退火，得到铌酸锶钡晶体；其中，所述光学浮区法加热中，升温速率为70‑80℃min至熔化形成悬浮熔区，晶体生长速率为3‑8mmh；所述退火中，退火温度为1000‑1200℃，退火时间为8‑12h，退火气氛为空气或氧气。与现有技术相比，本发明中SrxBa1‑xNb2O6晶体材料能实现50～90℃温度范围内废热的电能转换。其相变热释电品质因子相较已有材料最高提升至14.92μC2·J‑1·cm‑1·K‑1，且工艺优化后漏电流密度较优化前大幅降低，可应用于废热利用与能源再生等领域。

主权项：1.一种铌酸锶钡晶体的制备方法，其特征在于，铌酸锶钡晶体的化学式为SrxBa1-xNb2O6，其中x的范围为0.20-0.80，制备方法包括将锶源、钡源、铌源混合，固相烧结，冷等静压，二次烧结，光学浮区法加热，退火，得到铌酸锶钡晶体；其中，所述光学浮区法加热中，升温速率为70-80℃min至熔化形成悬浮熔区，晶体生长速率为3-8mmh；所述退火中，退火温度为1000-1200℃，退火时间为8-12h，退火气氛为空气或氧气。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 同济大学 一种铌酸锶钡晶体生长及退火工艺与其相变热释电能量转换应用

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