申请/专利权人：合肥工业大学

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117779197A

主分类号：C30B29/30

分类号：C30B29/30;H10B53/30;G11C11/54;G11C11/56;C30B25/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了SrBi2Ta2O9单晶超薄膜的制备方法及基于其的忆阻器，利用Pt薄膜作为缓冲结构通过激光分子束外延L‑MBE技术制得了SrBi2Ta2O9SBT单晶超薄膜，并构建了基于SBT单晶超薄膜金属‑铁电‑金属MFM结构的铁电隧道结FTJ器件，具有严格的沿平面外方向极性翻转的能力，并具有较高的隧道电阻效应TER，2145％。与SBT多晶厚膜集成的器件相比，基于SBT单晶超薄膜的FTJs缩短了至少两个数量级的非易失性内存编程时间，在类生物突触人工模拟方面体现了优越的纳秒超快响应时间、更长的可塑性持续时间、106次开关疲劳稳定性，为小尺寸单晶超薄FTJ器件及其阵列系统应用于下一代新型疲劳稳定和快速响应的便携式电子设备提供了实验基础。

主权项：1.SrBi2Ta2O9单晶超薄膜的制备方法，其特征在于：在衬底上生长Pt薄膜作为缓冲结构，然后利用激光分子束外延沉积技术在Pt薄膜上沉积SrBi2Ta2O9单晶超薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥工业大学 SrBi₂Ta₂O₉单晶超薄膜的制备方法及基于其的忆阻器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD