申请/专利权人：滁州亿晶光电科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790594A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;C23C22/73

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种新型perc背面膜层结构及镀膜方法，包括：P型硅基，所述P型硅基正面设置有N型发射极；所述P型硅基位于N型发射极外还覆盖有氧化硅层，所述氧化硅层外还覆盖有减反膜；正面电极，所述正面电极设置于P型硅基正面；钝化膜，所述钝化膜设置于P型硅基背面，用于对P型硅基起到钝化的作用；增反膜，所述增反膜覆盖在钝化膜外侧，增反膜用于反射长波光，通过发挥氮氧化硅折射率范围大的优势，根据不同的氮硅比例实现钝化、增加内反射的效果，膜层结构虽然复杂，但是本质都是氮氧化硅，只需工艺端调整硅烷、氨气、笑气流量就可以达到不同的组合效果，无需增加ALD工序、人力和特气成本，完美取代传统的氧化铝加氮化硅背钝化结构。

主权项：1.一种新型perc背面膜层结构，其特征在于，包括：P型硅基1，所述P型硅基1正面设置有N型发射极；所述P型硅基1位于N型发射极外还覆盖有氧化硅层2，所述氧化硅层2外还覆盖有减反膜；正面电极11，所述正面电极11设置于P型硅基1正面；钝化膜3，所述钝化膜3设置于P型硅基1背面，用于对P型硅基1起到钝化的作用；增反膜4，所述增反膜4覆盖在钝化膜3外侧，增反膜4用于反射长波光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 滁州亿晶光电科技有限公司 一种新型perc背面膜层结构及镀膜方法

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