申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2023-08-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790503A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/8234

优先权：["20220927 US 17/954,194"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：描述了具有由栅极切口限定的鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上并且位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构之上，而位于第二子鳍状物上。栅极切口位于栅极结构与电介质结构之间。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：水平纳米线的竖直堆叠体，其位于第一子鳍状物之上；栅极结构，其位于所述水平纳米线的竖直堆叠体之上并且位于所述第一子鳍状物上；电介质结构，其与所述栅极结构横向间隔开，其中，所述电介质结构不位于沟道结构之上，而位于第二子鳍状物上；以及栅极切口，其位于所述栅极结构与所述电介质结构之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有由栅极切口限定的鳍状物隔离区域的集成电路结构

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