申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2023-10-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894841A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：["20221014 DE 102022210842.6"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种用于具有鳍式结构的功率晶体管的晶体管组件。在此设置，使晶体管组件的外延层在包围鳍式结构的边缘区域中下降并且在下降之后将屏蔽植入物以及边缘植入物引入到外延层中。

主权项：1.一种晶体管组件，所述晶体管组件具有：半导体衬底1；施加到所述半导体衬底1上的外延层2，所述外延层具有指向所述半导体衬底1的方向的第一侧和与所述第一侧对置的第二侧，其中，所述外延层2包括具有鳍式结构3的区域和边缘区域，所述边缘区域包围具有所述鳍式结构3的区域，其中，在具有所述鳍式结构3的区域中在所述外延层2的第一侧与第二侧之间的厚度大于在所述边缘区域中在所述外延层2的第一侧与第二侧之间的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗伯特·博世有限公司 晶体管组件、功率晶体管和用于制造具有鳍式结构的晶体管的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD