申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

申请日：2021-08-12

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114078895B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H04N25/77;H04N25/76

优先权：["20200820 US 16/998,783"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.06.20#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：本申请案涉及一种具有穿硅鳍片转移门的图像传感器。一种装置包含光电二极管、浮动扩散区、转移门及沟道区。所述光电二极管经安置在半导体材料中。所述光电二极管经耦合以响应于入射光而生成电荷。所述浮动扩散区经安置在所述半导体材料中。所述转移门经安置在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间。与所述转移门相关联的所述沟道区靠近所述转移门位于所述半导体材料中。所述转移门经耦合以响应于经耦合以由所述转移门接收的转移信号而通过所述沟道区将所述电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区。所述转移门包含延伸到所述半导体材料及所述光电二极管中的多个鳍片结构。

主权项：1.一种图像传感器，其包括：光电二极管，其经安置在半导体材料中，其中所述光电二极管经耦合以响应于入射光而生成电荷；浮动扩散区，其经安置在所述半导体材料中；转移门，其经安置在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，其中所述转移门包含延伸到所述光电二极管和所述浮动扩散区中的多个鳍片结构，且其中所述多个鳍片结构从所述光电二极管横向延伸到所述浮动扩散区；及沟道区，其与所述转移门相关联，所述沟道区靠近所述转移门安置在所述半导体材料中，其中所述转移门经耦合以响应于经耦合以由所述转移门接收的转移信号而通过所述沟道区将所述电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪威科技股份有限公司 具有穿硅鳍片转移门的图像传感器

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