申请/专利权人：广东产品质量监督检验研究院(国家质量技术监督局广州电气安全检验所、广东省试验认证研究院、华安实验室)

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117783004A

主分类号：G01N21/25

分类号：G01N21/25;H02S50/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种光伏组件表面污渍遮挡程度的快速评估方法，包括以下步骤：1在实验室采集晶体硅光伏组件脏污和清洁后的高光谱数据，对数据预处理；2确认脏污样品的高光谱数据，并确认污染类型；3计算晶体硅光伏电站组件表面污渍遮挡率；4构建数据库；5在户外采用无人机搭载高光谱图像采集系统采集待测晶体硅光伏组件脏污后的高光谱数据，根据构建的数据库，得到待测晶体硅光伏组件的表面污渍遮挡率，进而获得待测晶体硅光伏组件表面污渍遮挡程度。该方法可实现对光伏组件污染程度的高精度、快速和低成本测量。

主权项：1.一种光伏组件表面污渍遮挡程度的快速评估方法，其特征在于包括以下步骤：1在实验室分别采集主流组件厂家及型号的晶体硅光伏组件脏污和清洁后的高光谱数据，并对所述高光谱数据进行预处理；2根据预处理后晶体硅光伏组件脏污和清洁后的高光谱数据，确认脏污样品的高光谱数据，并根据脏污样品的高光谱数据特点确认污染类型；3测试步骤1中所述晶体硅光伏组件脏污和清洁后的标准条件下最大功率，根据功率数据，计算晶体硅光伏电站组件表面污渍遮挡率；4将步骤3中的晶体硅光伏电站组件表面污渍遮挡率与步骤1中预处理后的晶体硅光伏组件脏污高光谱数据构建数据库；5在户外采用无人机搭载高光谱图像采集系统采集待测晶体硅光伏组件脏污后的高光谱数据，将所述高光谱数据预处理后，根据步骤4中构建的数据库，得到待测晶体硅光伏组件的表面污渍遮挡率，进而获得待测晶体硅光伏组件表面污渍遮挡程度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东产品质量监督检验研究院(国家质量技术监督局广州电气安全检验所、广东省试验认证研究院、华安实验室) 一种光伏组件表面污渍遮挡程度的快速评估方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD