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【发明公布】一种双层结构化静磁场隐身斗篷设计方法_西安交通大学_202311824699.9 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2023-12-28

公开(公告)日:2024-03-29

公开(公告)号:CN117786983A

主分类号:G06F30/20

分类号:G06F30/20;G06F17/11

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要:一种双层结构化静磁场隐身斗篷设计方法,先求解拉普拉斯方程,获得静磁隐身斗篷各层间的尺寸、磁导率关系;再确定理想静磁隐身斗篷的尺寸参数和材料属性;然后确定离散程度,将圆形斗篷离散为单胞;再通过S参数反演法获取单胞构型与等效磁导率之间的联系;最后将等效磁导率等于理想斗篷所需磁导率的单胞组装为完整静磁隐身斗篷;本发明简化电磁斗篷的设计过程,降低隐身斗篷实现难度,借助超材料设计实现磁场隐身。

主权项:1.一种双层结构化静磁场隐身斗篷设计方法,其特征在于,包括以下步骤:1求解拉普拉斯方程,获得静磁隐身斗篷各层间的尺寸、磁导率关系;2确定理想静磁隐身斗篷的尺寸参数和材料属性;3确定离散程度,将圆形斗篷离散为单胞;4S参数反演法获取单胞构型与等效磁导率之间的联系;5将等效磁导率等于理想斗篷所需磁导率的单胞组装为完整静磁隐身斗篷。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种双层结构化静磁场隐身斗篷设计方法

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