申请/专利权人：江苏大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117778976A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种ITOZnOCuO纳米阵列的制备方法，涉及纳米材料的制备技术领域。本发明采用磁控溅射法在ITO基底上沉积得到ITOZnO纳米棒阵列，再采用离子交换法得到ITOZnOCuO纳米阵列，所述ITOZnOCuO纳米阵列呈现纳米自组装花状结构，这种结构有利于促进电子的迁移和捕获，增加电子的局域密度，从而增强ITOZnOCuO纳米阵列的载流子传输性能。同时，通过精确控制溅射参数和离子交换条件，实现了对ITOZnOCuO纳米阵列中各层厚度和组成的精确调控，且制备工艺简单，具有环境友好性。

主权项：1.一种ITOZnOCuO纳米阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1对ITO导电玻璃进行预处理后，采用磁控溅射法制得ITOZnO种子层，对ITOZnO种子层进行退火处理，得ITOZnO纳米棒阵列；2将ITOZnO纳米棒阵列置于铜盐溶液中反应，得ITOZnOCuO，将ITOZnOCuO进行退火处理，即得ITOZnOCuO纳米阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏大学 一种ITO/ZnO/CuO纳米阵列的制备方法

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