申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790408A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供的一种钨塞的形成方法，包括：提供一衬底；在介质层中形成第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔暴露连接金属层，第二接触孔暴露薄膜电阻层；在第二接触孔的至少部分侧壁及至少部分底壁形成硅层；利用含钨气体与硅层置换形成第一钨层；以及，执行第一选择性钨沉积工艺，在第一接触孔及第二接触孔中形成钨塞。本发明中，在薄膜电阻层的表面形成硅层，以在后续利用含钨气体与硅置换形成第一钨层，使得在原本难以直接沉积钨的薄膜电阻层的表面形成第一钨层作为种子层，进而可以在第一接触孔及第二接触孔中同步填充第二钨层，形成较低电阻的钨塞。

主权项：1.一种钨塞的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底的表面覆盖有介质层，所述衬底中形成有连接金属层及薄膜电阻层，所述薄膜电阻层的材质包括金属氮化物；在所述介质层中形成第一接触孔及第二接触孔，所述第一接触孔的底部暴露所述连接金属层，所述第二接触孔的底部暴露所述薄膜电阻层；在所述第二接触孔的至少部分侧壁及至少部分底壁形成硅层；利用含钨气体与所述硅层置换形成第一钨层；以及，执行第一选择性钨沉积工艺，在所述第一接触孔及所述第二接触孔中形成所述钨塞，用以电性引出所述连接金属层及所述薄膜电阻层。

全文数据：

权利要求：

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