申请/专利权人：中国计量大学

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113555496B

主分类号：H10N52/00

分类号：H10N52/00;G06F30/23

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.11.12#实质审查的生效;2021.10.26#公开

摘要：本发明公开了一种应变控制的可重构自旋波通道及控制方法，包括衬底层，所述衬底层上方设有磁性层，所述磁性层上方设有压电层，所述压电层上表面设有顶部电极，所述磁性层上设有激发区。方法包括：构建模拟自旋波通道获取自旋波色散曲线；根据自旋波色散曲线选取施加应变并获取激发频率；构建应用自旋波通道；激发区内采用交变磁场按照激发频率激发并施加应变；自旋波在通道内稳定激发并传播。上述技术方案通过构建可重构自旋波通道，在通道区域内施加应变影响内部有效场，导致自旋波色散曲线发生移动，通道可重构，自旋波传输过程中不会产生固有焦耳热，其外围电路由电压控制，避免了磁场或电流的使用。

主权项：1.一种应变控制的可重构自旋波通道，其特征在于，包括衬底层1，所述衬底层1上方设有磁性层2，所述磁性层2上方设有压电层3，所述压电层3上表面设有顶部电极4，所述磁性层2上设有激发区5，所述激发区5设于压电层3y轴方向上不与磁性层2齐平的一端下方，所述激发区5在x轴方向上贯穿磁性层2，所述激发区5内设有交变磁场，所述压电层3y轴方向长度小于磁性层2，压电层3x轴方向长度小于等于磁性层2，压电层3y轴方向上一端与磁性层2齐平，压电层3x轴方向上位于磁性层2中心；所述应变控制的可重构自旋波通道的控制方法，包括以下步骤：S1构建模拟自旋波通道获取自旋波色散曲线，在激发区5内采用交变磁场进行激发，分别对不施加应变和施加应变的仿真数据执行二维傅里叶变换取得自旋波色散关系曲线；S2根据自旋波色散曲线选取施加应变并获取激发频率，自旋波色散曲线解析公式： 其中，A为交换常数，Ms为饱和磁化强度，μ0为真空磁导率，H为除应变场外总的有效场，Hε为应变场，εzz为z轴方向上施加的应变，mx＝my＝0,mz＝1，B1为磁弹耦合常数，c为磁性层厚度，εxx为x轴方向上施加的应变，εyy为y轴方向上施加的应变，εzz为z轴方向上施加的应变；S3构建应用自旋波通道；S4激发区内采用交变磁场按照激发频率激发并施加应变；S5自旋波在通道内稳定激发并传播。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国计量大学 一种应变控制的可重构自旋波通道及控制方法

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