申请/专利权人：成都善思微科技有限公司

申请日：2021-11-01

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113992872B

主分类号：H04N25/76

分类号：H04N25/76;H04N25/78;H04N25/60;H04N25/63

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构，包括CMOS图像传感器像素阵列和设置在所述CMOS图像传感器像素阵列上的积分器电路阵列；还包括电荷释放电路阵列，所述电荷释放电路阵列设置在远离所述积分器电路阵列的一侧，且所述电荷释放电路阵列中的电荷释放电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的列信号线电连接。本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构，通过在CMOS图像传感器像素阵列远离积分器电路阵列的一侧加入电荷释放电路阵列，使得将坏列中像素累积的电荷清除掉，从而使其不影响相邻的列。

主权项：1.一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构，包括CMOS图像传感器像素阵列和设置在所述CMOS图像传感器像素阵列上的积分器电路阵列，其特征在于，还包括电荷释放电路阵列，所述电荷释放电路阵列设置在远离所述积分器电路阵列的一侧，且所述电荷释放电路阵列中的电荷释放电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的列信号线电连接；还包括行选通电路阵列，所述行选通电路阵列中的行选通电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的每一行行选信号线电连接；所述行选通电路包括D触发器和带高阻输出模式的buffer电路，所述带高阻输出模式的buffer电路的第一输入端和所述D触发器的输出端电连接，所述带高阻输出模式的buffer电路的第二输入端用于接收高阻模式控制信号，所述带高阻输出模式的buffer电路的输出端与所述行选信号线电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都善思微科技有限公司 一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构

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