申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2020-04-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN111653553B

主分类号：H01L23/66

分类号：H01L23/66;H01P3/00;H01P11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.11#公开

摘要：本发明公开了一种Si基GaN毫米波传输线的结构及制备方法，该结构包括：Si衬底；AlN成核层，在所述Si衬底之上；III族氮化物过渡层，在所述AlN成核层之上；GaN缓冲层，在所述III族氮化物过渡层之上；金属地层，在该GaN缓冲层之上；介质插入层，在该金属地层之上；CPW，在该介质插入层之上；CPW的地线通过介质插入层中的通孔与金属地层相连。本发明的目的在于针对上述毫米波电路应用中传输线射频损耗较高的问题，提出一种面向毫米波应用的Si基GaN结构上的传输线结构及制备方法，通过在CPW与GaN层之间插入一层金属地，以屏蔽AlNSi界面处p型导电沟道的影响，从而降低传输线的射频损耗，以满足其在毫米波电路中的应用需求。

主权项：1.一种Si基GaN毫米波传输线结构，其特征在于，包括：Si衬底；AlN成核层，位于所述Si衬底上；III族氮化物过渡层，位于所述AlN成核层上；GaN层，位于所述III族氮化物过渡层上；金属地，位于所述GaN层上；所述金属地用于屏蔽AlNSi界面处p型导电沟道的影响；具有若干通孔的介质插入层，位于所述金属地上；若干CPW，位于所述介质插入层上，且每个所述CPW对应通过一所述通孔连接所述金属地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种Si基GaN毫米波传输线结构及制备方法

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