申请/专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司

申请日：2021-05-13

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN115341263B

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.03.19#著录事项变更;2022.12.02#实质审查的生效;2022.11.15#公开

摘要：本发明提供一种坩埚底料吸取工艺，步骤包括：在主室内，执行对用于吸取石英坩埚底料工件的预热，使其温度与其途经热场阶梯温度相适配；控制底料与石英坩埚剥离并被吸至工件内腔中。本发明对吸取硅料的吸料工件采用阶梯式预热，以使其与热场阶梯温度相适配，并对吸取底料后的工件进行分步冷却，避免因温度的突变而产生裂纹，保证吸取硅料的有效性、完整性和安全性；采用本工艺可将坩埚内的剩余底料完全吸出并安全从单晶炉内取出，净化坩埚环境，为后续复投拉晶做好准备。

主权项：1.一种坩埚底料吸取工艺，其特征在于，步骤包括：在主室内，执行对用于吸取石英坩埚底料工件的预热，使其温度与其途经热场阶梯温度相适配；控制底料与所述石英坩埚剥离并被吸至所述工件内腔中；所述工件预热步骤包括：所述工件降至主室水冷屏高度中间位置时，预热一段时间，使所述工件温度升至第一温度；所述工件降至导流筒下端面位置时，在所述第一温度基础上预热一段时间，使所述工件温度升至第二温度；所述工件降至底料液面上方设定位置时，在所述第二温度基础上预热一段时间，使所述工件温度升至第三温度；所述工件降至所述水冷屏高度中间位置时静止预热的时间小于其降至所述导流筒下端面位置时静止预热的时间或降至底料液面上方设定位置时静止预热的时间；所述第一温度与所述水冷屏高度中间位置温度相同；所述第二温度与所述导流筒下端面位置温度相同；所述第三温度与所述底料液面温度相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 内蒙古中环晶体材料有限公司 一种坩埚底料吸取工艺及适于该工艺的工件

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