申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810087A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/04;H01L29/78;H01L29/45

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，取设有漂移层的碳化硅衬底，在漂移层上形成阻挡层，蚀刻形成通孔，进行离子注入，以形成阱区；重新形成阻挡层，蚀刻形成通孔，进行离子注入，以形成源区；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积高掺杂多晶硅，形成多晶硅层；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积源极金属；进行高温退火，分别形成金属硅化物层和源极金属层；重新形成阻挡层，蚀刻，淀积绝缘层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属区，通过栅极金属区淀积栅极金属，形成栅极金属层，去除阻挡层；对碳化硅衬底另一面淀积金属，形成漏极金属层，降低了碳化硅器件的导通电阻，使得器件的回路功耗变小。

主权项：1.一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、取设有漂移层的碳化硅衬底，在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成阱区；步骤2、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对阱区进行离子注入，以形成源区；步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成淀积窗口，淀积高掺杂多晶硅，形成多晶硅层；步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻源极金属区，淀积源极金属；步骤5、进行高温退火，分别形成金属硅化物层和源极金属层；步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过该通孔淀积绝缘层；步骤7、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻栅极金属区，通过栅极金属区淀积栅极金属，形成栅极金属层，去除阻挡层；步骤8、对碳化硅衬底另一面淀积金属，形成漏极金属层。

全文数据：

权利要求：

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