申请/专利权人：比亚迪股份有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117800741A

主分类号：C04B35/584

分类号：C04B35/584;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本申请提供一种氮化硅陶瓷基板的制备方法。所述氮化硅陶瓷基板的制备方法包括：将无机成分与有机成分混合得到浆料，无机成分包括棒状β‑Si3N4籽晶及α‑Si3N4粉体，有机成分包括有机溶剂，棒状β‑Si3N4籽晶的平均长度为L；通过流延设备对浆料进行流延处理，得到流延胚片，其中，流延设备的刮刀的高度为H，H与L满足2L≤H≤50L；对流延胚片进行烧结处理，制备得到氮化硅陶瓷基板，该氮化硅陶瓷基板包括棒状β‑Si3N4晶粒，其中，长度方向与氮化硅陶瓷基板的平面方向的夹角位于预设角度范围内的棒状β‑Si3N4晶粒占比大于或等于70％，预设角度范围为小于或等于60°。本申请还提供氮化硅陶瓷基板。

主权项：1.一种氮化硅陶瓷基板，其特征在于，所述氮化硅陶瓷基板包括棒状β-Si3N4晶粒，所述棒状β-Si3N4晶粒中，长度方向与所述氮化硅陶瓷基板的平面方向的夹角位于预设角度范围内的棒状β-Si3N4晶粒占比大于或等于70％，所述预设角度范围为小于或等于60°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 比亚迪股份有限公司 氮化硅陶瓷基板及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD